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光学级掺镁铌酸锂晶片

MgO:LiNbO3

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产品名称:光学级掺镁铌酸锂(MgO:LiNbO3)晶片
产品简介:        纯同成份铌酸锂晶体最大的缺点是抗激光损伤阙值很低,这限制了它的应用领域。当掺入5mol%MgO后,所生长MgO:LN晶体的抗激光损伤阙值提高1-2个数量级,极化反转电压从21KV/mm降至6KV/mm,紫外吸收边紫移至310mm,OH-吸收峰红移至3535cm-1,这些变化极大的拓展了LN晶体的应用范围。
技术参数:晶体名称MgO:LiNbO3
轴向Z cut (+/-0.2°)
直径76.2mm(+/-0.3mm)
基准面22mm(+/-2mm)
厚度
500um(+/-5um)/1000um(+/-5um)
晶片背面
双面抛光
TTV≤6um
WARP
≤20um
浓度4.9-6mol%
边缘倒角edge rounding
标准包装:1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装


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