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产品介绍：锑化镓（GaSb）是III-V族的镓和锑的半导体化合物。它具有约0.61nm的晶格常数。 GaSb可用于红外探测器，红外LED和激光器和晶体管，以及热光电系统。我司可提供2”,3”,4”锑化铟单晶片。
| 产品名称： | 锑化镓(GaSb)晶体基片 |
| 技术参数： | 单晶： GaSb 掺杂： none；None, high R；Zn；Te；Te, high R 导电类型： P P- P+ N 载流子浓度cm-3 ： 1-2x1017 1-5x1016 1-5x10182-6x1017 1-5x1016 位错密度cm-2 ： <103 生长方法及最大尺寸 ： LEC Ø 3" |
| 产品规格： | 标准尺寸：<100>, dia2"x0.5mm, 单抛， 表面粗糙度Ra:<15A 可按客户需求定制相应的方向和尺寸。 |
| 标准包装： | 1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装 |
| 掺杂 | 尺寸（inch） | 导电类型 | 浓度(cm-3) | 迁移率（cm2/V·S） | 位错密度（cm2） |
| 本征 | 2/3/4 | P | （1-2）×1017 | 600-700 | ＜2×103 |
| Zn | 2/3/4 | P | (5-100)×1017 | 200-500 | ＜2×103 |
| Te | 2/3/4 | N | （1-20）×1017 | 2000-3500 | ＜2×103 |
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