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InSb\锑化铟晶体

锑化铟晶体基片

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产品名称:

锑化铟(InSb)晶体基片

产品简介:

技术参数:

单晶:InSb掺杂:None;Te;Ge导电类型:N;N;P载流子浓度cm-3  1-5x1014   1-2x1015    位错密度cm-2   <2x102

 

产品规格:

标准尺寸:dia2"x0.5mm;

表面粗糙度Ra:<15A

注:可按客户需求定制特殊的方向和尺寸。

 

标准包装:

1000级超净室100级超净袋或单片盒封装


  

掺杂NoneTeGe
导电类型NNP
载流子浓度(cm-³)

1~5*1014-4*1016

1-4*1016


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