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产品名称: | 锑化铟(InSb)晶体基片 |
产品简介: | |
技术参数: | 单晶:InSb掺杂:None;Te;Ge导电类型:N;N;P载流子浓度cm-3 1-5x1014 1-2x1015 位错密度cm-2 <2x102
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产品规格: | 标准尺寸:dia2"x0.5mm; 表面粗糙度Ra:<15A 注:可按客户需求定制特殊的方向和尺寸。
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标准包装: | 1000级超净室100级超净袋或单片盒封装 |
掺杂 | None | Te | Ge |
导电类型 | N | N | P |
载流子浓度(cm-³) | 1~5*1014-4*1016 | 1-4*1016 |
宝贝与描述相符
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