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GaN\氮化镓晶体

氮化镓晶体衬底

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技术参数制作方法:HVPE(氢化物气象外延法)传导类型:N型;半绝缘型电阻率:R<0.05 Ω.cm; R表面粗糙度:<0.5nm位错密度:<5x106Ω.cm可用表面积:>90%TTV:≤15umBow:≤20um
产品规格

晶体方向: 

注:可按照客户要求加工尺寸及方向。

标准包装

1000级超净室100级超净袋或单片盒装


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