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GaP\磷化镓晶体

磷化镓晶体基片

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技术参数晶体结构:立方      a =5.4505 Å生长方法:提拉法密度:4.13  g/cm3熔点:1480 ℃热膨胀系数:5.3 x10-6掺杂物质:掺S ;不掺杂热传导率:2~8 x1017/cm3 ;4~ 6 x1016/cm3电阻率W.cm:~0.03  ;~0.3EPD (cm-2 ): < 3x10E5 ;< 3x10E5


常规尺寸

常规晶向:<111>;常规尺寸:10x10x0.5mm、dia2"x0.5mm;抛光情况:单抛或双抛; 

注:可按客户需求定制相应的方向和尺寸。

备注

1000级超净室100级超净袋


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