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技术参数: | 晶体结构 立方:a =12.376 Å 熔点 1800 oC 密度 7.09g/cm3 硬度 6.5 mohs 折射率 1.95 晶体纯度 > 99.99% 晶体生长方法 提拉法 晶体生长方向 <111>
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产品规格: | 常规晶向:<100>、<110>、<111>;
晶向公差:±0.05°
常规尺寸:10x10mm,15x15mm,dia1",dia2",dia3" 厚度0.5mm
抛光情况:细磨、单抛、双抛
表面粗糙度:Ra<5A 注:可以根据客户需要提供特殊尺寸及方向的基片。
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标准包装: | 1000级超净室100级超净袋包装 |
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| 晶体结构 |
宝贝与描述相符
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