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产品名称: | 磷化铟(InP)晶体基片
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技术参数: | 单晶 InP 掺杂 None;Sn;S;Fe:Zn 硬度 3.0莫氏硬度 密度 4.78 g/cm3 导电类型 N;N;N;Si;P 折射率 3.45 载流子浓度cm-3 1-2x1016 1-3x10181-4x1018 .6-4x1018 位错密度cm-2 <5x104 生长方法 LEC 温度 1072℃ 弹性模量 7.1E11dyn Cm-2 |
产品规格: | 标准尺寸:<100>, dia2"x0.5mm,单抛; <100>, 10x10x0.5mm,单抛; 表面粗糙度Ra:<15A 注:可按客户需求定制相应的方向和尺寸。 |
标准包装: | 1000级超净室,100级超净袋封装 |
宝贝与描述相符
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