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| 产品名称： | 砷化铟（InAs）晶体 |
| 产品简介： |
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| 技术参数： | 晶体结构： 立方 a =5.4505 Å 生长方法: CZ 导电类型： N型 掺杂类型： 不掺杂 载流子浓度： 2 ~ 5E16 / cm3 迁移率： >18500cm2/V.S
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| 常规尺寸： | 常规晶向：<100>、<111>； 常规尺寸：10x10x0.5mm; dia2″x0.5mm;抛光情况：单抛或双抛; 表面粗糙度Ra:<15A 注：可按客户需求定制相应的方向和尺寸。 |
| 备注： | 1000级超净室100级超净袋 |
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